可控硅动态无功功率补偿器是近年来研制开发的新型动态无功补偿器，采用可控硅投切电容器组，克服了原有的静态补偿器的一些技术缺陷。故对于可控硅动态补偿器的技术优势作以下说明：

1、可控硅无功功率补偿器采用大功率无触点开关作为电容器组的投切开关。
2、可控硅触发采用光电触发技术。可控硅触发采用光控技术、实现一次系统和二次系统隔离，解决了谐波干扰问题，保证准确、可靠的触发可控硅。
3、响应时间小于20ms。可快速投入电容器，从采集补偿信号到可控硅触发导通一个周期内完成，即20ms响应，这就适应了快速变化负荷的动态跟踪补偿。
4、电容器投入实现过零投切。
5、电抗器的设计。谐波的出现导致纯补偿时代的结束，要杜绝纯补偿所引起的谐波放大和恶劣作用，就是配备适当电抗率的电抗器。
6、合理的电容器匹配。可控硅动态无功功率补偿器所采用的电容器是经特殊设计的单相电容器，电容器参数的选择经过精确的计算，要求较高，完全可以保证质量和使用寿命，有效避免电容器爆炸，造成总闸跳闸等事故。
7、对三相不平衡负荷补偿的独立控制技术。
8、抑制谐波，保护设备安全运行。
9、完善的保护措施。过压、欠压、短路、速断、防雷击及操作过电压等保护，保护措施齐全。
10、提高功率因数后的经济效益。可控硅动态无功功率补偿器可快速跟踪负荷无功功率自动投切，大大减少功率损耗。

STT标准型晶闸管投切模块技术源自德国，我司在充分消化吸收德国技术和先进制造工艺的基础上，研制出了拥有自主知识产权的新一代晶闸管投切模块。模块主要由双向晶闸管，触发电路，吸收电路，保护电路，智能型散热片组成。自主专利技术保证电压过零触发，电流过零断开，真正实现投切无涌流，跟随速度快，有效补偿冲击性负荷，平均响应时间小于15ms，很好地取代传统投切装置。